| Domaine | Science | Sous domaine | Science |
| Section | Technique | Option | Electricité |
| Discipline | Electronique | Classe | 6ème |
| Matériel didactique | Carte électronique, transitor FET à jonction... | Auteur | SCHOOLAP.COM |
| Objectif opérationnel | A l’issue de cette leçon, tout apprenant sera capable de bien maîtriser et connaitre les différents types de transistors. | ||
| Réference | Livre de cours d’électronique | ||
Activité initiale |
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Rappel Quel est le but d’un transistor à jonction dans un circuit électronique ? |
Rappel Le but d’un transistor à jonction dans un circuit électronique est d’amplifier le signe dans un circuit. |
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Motivation de la leçon Qu'allons-nous voir? |
Motivation de la leçon Sur cette leçon, nous allons voir que ce transistor joue toujours le même rôle que son prédécesseur. |
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Annonce du sujet Qu'allons- nous étudier aujourd'hui? |
Annonce du sujet Aujourd'hui, nous allons étudier les transistors à effets de champ. |
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Activité principale |
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Résumé noté dans les cahiers par les élèves. |
Introduction Nous avons vu au chapitre précedent que le transistor à jonction était une source de courant commandé par un courant. Cette caractéristique permet à ce type de composant d’amplifier des signaux alternatif. Cet objet théorique existe : la famille des transistors à effet de champ (Fild effet transistor en anglais FET) repond à la définition précedente : ce sont des sources de courant commandes en tension. |
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Résumé noté dans les cahiers par les élèves |
Le transistor FET à jonction Prinicipe de fonctionnement Constitution d’un FET De même qu’il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET à jonction (ou JFET) est décliné en deux versions : le canal N et le canal P. Le FET à jonction canal N est constitué d’une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur princicpal. Cette plaquette est recouverte partiellement d’une couche de silicium P de manière à former une jonction PN latéral et le canal P. Le FET à jonction canal N est constitué d’une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d’une couche de silicium P de manière à forme une jonction PN latérale par rapport au canal (Cfr fig.).
FET à jonction à canal N (principe) Le courant circulera dans le canal, rentrant par une première électrode, le drain et sortant par une deuxième L’électrode connecté à la couche de silicium P sert à commander la conduction du courant dans le canal. On l’appelle la grille. Par analogie avec l’électrode du même nom présente sur les tubes à vides. Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarisée en inverse. |
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Synthèse |
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Résumé et synthèse de la matière à enseigner |
1. Par quoi sont remplacées les zones dopées du transistor bipolaire chez le FET ? 2. Comment sont appelées les électrodes du transistor à effet de champ. Réponse Cfr activité principale |
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